YJQ15GP10A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1280 шт., срок 7-9 недель
69 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
55 руб.
от 150 шт. —
48 руб.
от 500 шт. —
35.88 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 345 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; -100В; -9,5А Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | DFN3.3x3.3 EP |
| Drain current | -9.5A |
| Drain-source voltage | -100V |
| Gate charge | 3.98nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 17.2W |
| Pulsed drain current | -45A |
| Technology | SPLIT GATE TRENCH |
| Type of transistor | P-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1120 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
