KBT5551C
1350 шт., срок 7-9 недель
3 руб.
Мин. кол-во для заказа 200 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
2 руб.
Добавить в корзину 200 шт.
на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
160V 200mW 80@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 160V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 80@10mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Техническая документация
Datasheet KBT5551C
pdf, 6779 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
