2SD1857G-Q-AA3-A-R
920 шт., срок 7-9 недель
18 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
15 руб.
от 150 шт. —
13 руб.
от 500 шт. —
10.65 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
120V 1W 120@100mA,5V 2A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 2A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@1A, 100mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 120@100mA, 5V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 1W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 80MHz |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
