HSBG2103
9490 шт., срок 7-9 недель
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
7 руб.
от 300 шт. —
5.60 руб.
от 1000 шт. —
4.91 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 450 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8022990966
Бренд: HUASHUO
Описание
20V 650mA 520mΩ@4.5V,650mA 150mW 1V@250uA P Channel DFN1006-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 650mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 520mΩ@4.5V, 650mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Type | P Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 669 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
