HSCB20D03
4570 шт., срок 7-9 недель
21 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
17 руб.
от 150 шт. —
14 руб.
от 500 шт. —
12.06 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 420 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8023089875
Бренд: HUASHUO
Описание
20V 3A 900mΩ@4.5V,3A 1.5W 750mV@250uA 2 P-Channel DFN-6-EP(2x2) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 3A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 900mΩ@4.5V, 3A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 750mV@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 331pF@10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 37pF@10V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.3nC@4.5V |
Type | 2 P-Channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 830 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.