KSB772YSTU, KSB772YSTU PNP Transistor, -3 A, -30 V, 3-Pin TO-126
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
77 руб.
Кратность заказа 60 шт.
Добавить в корзину 60 шт.
на сумму 4 620 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | -40 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -30 V |
Maximum DC Collector Current | -3 A |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 80 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 10 W |
Minimum DC Current Gain | 160 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-126 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 10 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 11 mm |
Длина | 8 mm |
Другие названия товара № | KSB772YSTU_NL |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1920 |
Серия | KSB772 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-126-3 |
Ширина | 3.25 mm |