2N7002K, Транзистор MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
451800 шт., срок 7 недель
5 руб.
Кратность заказа 30 шт.
от 300 шт. —
3 руб.
от 900 шт. —
2.30 руб.
от 3000 шт. —
1.62 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор MOSFET
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 340mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Type | N Channel |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1632 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
