IRF7465PBF LPF IRF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 146 шт.
Добавить в корзину 146 шт.
на сумму 20 440 руб.
Описание
Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETs
Технические параметры
| Case/Package | SOIC |
| Continuous Drain Current (ID) | 1.9 A |
| Current Rating | 1.9 A |
| Drain to Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Drain to Source Resistance | 280 mΩ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Dual Supply Voltage | 150 V |
| Fall Time | 9 ns |
| Gate to Source Voltage (Vgs) | 30 V |
| Input Capacitance | 330 pF |
| Max Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Max Operating Temperature | 150 °C |
| Max Power Dissipation | 2.5 W |
| Min Operating Temperature | -55 °C |
| Mount | Surface Mount |
| Nominal Vgs | 5.5 V |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| On-State Resistance | 280 mΩ |
| Package Quantity | 3800 |
| Packaging | Bulk |
| Power Dissipation | 2.5 W |
| Rds On Max | 280 mΩ |
| Resistance | 280 mΩ |
| Rise Time | 1.2 ns |
| Termination | SMD/SMT |
| Threshold Voltage | 5.5 V |
| Turn-Off Delay Time | 10 ns |
| Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Voltage Rating (DC) | 150 V |
Техническая документация
irf7465pbf
pdf, 127 КБ
