AUIRF7675M2TR, Транзистор N-МОП, полевой, 150В, 18А, 45Вт, DIRectFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 10 шт. —
310 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
МОП-транзистор 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 47 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 13 ns |
| Время спада | 7.5 ns |
| Высота | 0.74 mm |
| Длина | 6.35 mm |
| Другие названия товара № | SP001522164 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Quad Drain Dual Source |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4800 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | DirectFET-M2 |
| Ширина | 3.95 mm |
| Вес, г | 0.42 |
Техническая документация
Datasheet AUIRF7675M2TR
pdf, 414 КБ
