2SC3356G-A-AE2-R
490 шт., срок 7-9 недель
12 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
12V 200mW 50@20mA,10V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 1uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 50@20mA, 10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 7GHz |
Техническая документация
Datasheet 2SC3356G-A-AE2-R
pdf, 228 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
