TIP32AG

Фото 1/8 TIP32AG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 440 руб.
Номенклатурный номер: 8024102850

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 3А, 40Вт, TO220AB Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
PCB changed 3
Package Height 9.28(Max)
Mounting Through Hole
Lead Shape Through Hole
Tab Tab
Package Width 4.83(Max)
Package Length 10.53(Max)
Type PNP
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 60
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Base Current (A) 1
Operating Junction Temperature (°C) -65 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 1.2@375mA@3A
Maximum DC Collector Current (A) 3
Minimum DC Current Gain 25@1A@4V|10@3A@4V
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 3(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tube
Automotive Yes
Supplier Package TO-220AB
Pin Count 3
Standard Package Name TO-220
Military No
Pd - рассеивание мощности 40 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 15.75 mm
Длина 10.53 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.2 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 3 MHz
Размер фабричной упаковки 50
Серия TIP32A
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.83 mm
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Emitter Voltage -60 V
Maximum DC Collector Current -3 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 1 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 40 W
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-220AB
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP

Техническая документация