IRFHS8242TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 25В, 9,9А, 2,1Вт, PQFN2X2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
85 руб.
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
58 руб.
от 2000 шт. —
46 руб.
от 4000 шт. —
41.32 руб.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 8 500 руб.
Описание
МОП-транзистор 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 9.9 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
Qg - заряд затвора | 4.3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 19 ns |
Время спада | 5.3 ns |
Высота | 0.9 mm |
Длина | 2 mm |
Другие названия товара № | SP001554858 |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single Quint Drain Dual Source |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 19 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 5.4 ns |
Типичное время задержки при включении | 6.5 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | PQFN-6 |
Ширина | 2 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 8.5 A |
Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | DFN2020 |
Вес, г | 0.44 |
Техническая документация
Datasheet IRFHS8242TRPBF
pdf, 248 КБ
Документация
pdf, 237 КБ