PT91-21C, Фототранзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
845 шт., срок 6 недель
35 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
21 руб.
от 150 шт. —
18 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 175 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin Mini-SMD Bag
Технические параметры
Automotive | No |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Fabrication Technology | NPN Transistor |
Lens Color | Water Clear |
Lens Shape Type | Domed |
Material | Silicon |
Maximum Collector Current (mA) | 20 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
Maximum Dark Current (nA) | 100 |
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) | 5 |
Maximum Fall Time (ns) | 15000(Typ) |
Maximum Operating Temperature (°C) | 85 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 75 |
Maximum Rise Time (ns) | 15000(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -25 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Channels per Chip | 1 |
Packaging | Bag |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Peak Wavelength (nm) | 940 |
Phototransistor Type | Phototransistor |
Pin Count | 2 |
Polarity | NPN |
PPAP | No |
Standard Package Name | SMD |
Supplier Package | Mini-SMD |
Type | IR Chip |
Viewing Orientation | Top View |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 321 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.