IRF5210STRLPBF, Транзистор P-МОП, полевой, -100В, -40А, 3,8Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 50 шт. —
500 руб.
от 200 шт. —
391 руб.
от 500 шт. —
349.97 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 7 200 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Полевой транзистор IRF5210STRLPBF производства INFINEON – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Этот транзистор характеризуется током стока 40 А и напряжением сток-исток до 100 В, что делает его отличным выбором для мощных применений. С мощностью 3,8 Вт и компактным корпусом D2PAK, он идеален для интеграции в различные электронные схемы. Модель IRF5210STRLPBF обеспечивает надежную работу и высокую эффективность, что подтверждается качеством продукции INFINEON. Купите этот транзистор для уверенности в стабильности и долговечности ваших электронных проектов. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 40 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 3.8 |
| Корпус | D2PAK |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 38A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 3.1W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60mО© @ 38A,10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 250uA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 170 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Корпус | TO-263 |
| Вес, г | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF5210S, IRF5210L
pdf, 310 КБ
