2SA1943-O(Q), Транзистор PNP, биполярный, 230В 15А TO-3PL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4294 шт., срок 7 недель
510 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор PNP, биполярный, 230В 15А TO-3PL
Технические параметры
| кол-во в упаковке | 100 |
| Brand | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO | 230 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 230 V |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 80 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 100 |
| Gain Bandwidth Product fT | 30 MHz |
| Height | 26 mm |
| Length | 20.5 mm(Max) |
| Manufacturer | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current | 15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3 |
| Pd - Power Dissipation | 150000 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SA1943 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Unit Weight | 0.238311 oz |
| Width | 5.2 mm(Max) |
| Maximum Collector Base Voltage | -230 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -230 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 30 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum DC Current Gain | 55 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3PL |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 10.41 |
Техническая документация
2sa1943
pdf, 224 КБ
2SA1943_datasheet_en_20160107
pdf, 191 КБ
Datasheet
pdf, 339 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация
pdf, 208 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
