BCW32,215, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2370 шт., срок 7 недель
12 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
8 руб.
от 300 шт. —
5.80 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Now Nexperia BCW32 - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 32 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 32 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Family | Transistors-Bipolar(BJT)-Single |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Manufacturer | NXP Semiconductors |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | SOT-23(TO-236AB) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 2.5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
