BCW60B,215, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 шт., срок 7 недель
13 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
9 руб.
от 300 шт. —
6.30 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | 933324090215 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 20 at 10 uA, 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 32 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Base Product Number | BCW60 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 250mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Maximum Collector Base Voltage | 32 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 32 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Minimum DC Current Gain | 180 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
