TK39A60W,S4VX(M, TO-220 MOSFETs

Фото 1/2 TK39A60W,S4VX(M, TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 шт., срок 7 недель
3 520 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 520 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8024894982
Артикул: TK39A60W,S4VX(M
Бренд: Toshiba

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 39 A
Maximum Drain Source Resistance 65 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 600 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.7V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 50 W
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220SIS
Pin Count 3
Series TK
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 110 nC @ 10 V
Width 4.5mm
Вес, г 1.62

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 235 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.