SSM6K403TU,LF, #ИМЯ?
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2675 шт., срок 7 недель
99 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 495 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 4,2А, 0,5Вт, UF6 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Qg - заряд затвора | 16.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 66 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 350 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.7 mm |
| Длина | 2 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 10 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SSM6K403 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-channel |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | UF-6 |
| Ширина | 1.7 mm |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet SSM6K403TU.LF
pdf, 211 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
