AUIRF7749L2TR, null 1.5mOhm@120A,10V null DIrectFET MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 150 руб.
Описание
The Infineon single N-channel HEXFET power MOSFET is designed for applications where efficiency and power density are of value.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 345 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0015 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DirectFET L8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.71 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 459 КБ
