SSM3K36MFV,L3F, #ИМЯ?
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 шт., срок 7 недель
83 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 415 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
U-MOSIII MOSFETs Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-723-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.23 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 630 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K36MFV.L3F
pdf, 210 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
