BCM857DS,115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69000 шт., срок 7 недель
24 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
23 руб.
от 9000 шт. —
21 руб.
от 12000 шт. —
20.24 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 72 000 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8025433198
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Описание Транзистор: PNP x2
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.1 mm |
| Другие названия товара № | BCM857DS T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA at 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-457-6 |
| Ширина | 1.7 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 380 mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-457(SC-74) |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Type | PNP |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
