Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › 2N7002NXBKR

2N7002NXBKR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2980 шт., срок 7-9 недель

4 руб.

Мин. кол-во для заказа 90 шт.

от 1000 шт. — 3.20 руб.

Добавить в корзину 90 шт. на сумму 360 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8025939009

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	270 mA
Pd - рассеивание мощности	400 mW
Qg - заряд затвора	1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.3 ns
Время спада	2.9 ns
Другие названия товара №	934661282215
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	6.9 ns
Типичное время задержки при включении	4.7 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	2.2Ом
Power Dissipation	310мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	270мА
Пороговое Напряжение Vgs	1.6В
Рассеиваемая Мощность	310мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	2.2Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23