2PA1774QM,315

Фото 1/2 2PA1774QM,315
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
790000 шт., срок 7 недель
12 руб.
Кратность заказа 10000 шт.
от 20000 шт.11 руб.
Добавить в корзину 10000 шт. на сумму 120 000 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8025458956
Бренд: Nexperia B.V.

Технические параметры

Brand: Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hfe Min: 120
DC Current Gain hFE Max: 120 at 1 mA, 6 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Nexperia
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: DFN1006-3
Part # Aliases: 934057143315
Pd - Power Dissipation: 430 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Collector Emitter Voltage Max 40В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 120hFE
DC Усиление Тока hFE 120hFE
Power Dissipation 430мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции 2PA1774M
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора PNP
Стиль Корпуса Транзистора DFN1006
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 100МГц

Техническая документация

Datasheet
pdf, 196 КБ
Datasheet
pdf, 72 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.