IRF9640SPBF, P-Chan 200V 11 Amp

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

310 руб.

Кратность заказа 50 шт.

от 100 шт. — 270 руб.

от 500 шт. — 233 руб.

Добавить в корзину 50 шт. на сумму 15 500 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8025462636

Артикул: IRF9640SPBF

Описание Транзистор P-МОП, полевой, 200В 11A 125Вт 0,5Ом DІPak Характеристики

Крутизна характеристики S,А/В	4.1
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	-4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	500
Температура, С	-55…+150
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	11 A
Maximum Drain Source Resistance	500 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	200 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	3 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	44 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	11A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	3W(Ta), 125W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 6.6A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA