BC856W,115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18000 шт., срок 7 недель
5 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
4 руб.
от 9000 шт. —
3.50 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 15 000 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8025479956
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Высота: | 1 mm |
| Длина: | 2.2 mm |
| Другие названия товара №: | 934021750115 |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 125 |
| Конфигурация: | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 125 at 2 mA, 5 V |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 65 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 100 MHz |
| Производитель: | Nexperia |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка: | Nexperia |
| Упаковка / блок: | SOT-323-3 |
| Ширина: | 1.35 mm |
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
