SI4850EY-T1-E3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
170 руб.
от 30 шт. —
144 руб.
от 100 шт. —
120.99 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 420 руб.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | 8.5A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Gate charge | 27nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 47mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 3.3W |
| Pulsed drain current | 40A |
| Technology | TrenchFET® |
| Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
SI4850EY
pdf, 248 КБ
