TK31V60X,LQ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7500 шт., срок 7 недель
570 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
Добавить в корзину 2500 шт.
на сумму 1 425 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзисторы DTMOSIV-H
Полевые МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H подходят для приложений, требующих высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, таких как высокоэффективные импульсные источники питания для серверов и базовых телекоммуникационных станций, а также в качестве кондиционеров для фотоэлектрических инверторов. МОП-транзисторы DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при сохранении низкого уровня сопротивления в открытом состоянии, характерного для обычных DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению размеров изделий.
Полевые МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H подходят для приложений, требующих высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, таких как высокоэффективные импульсные источники питания для серверов и базовых телекоммуникационных станций, а также в качестве кондиционеров для фотоэлектрических инверторов. МОП-транзисторы DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при сохранении низкого уровня сопротивления в открытом состоянии, характерного для обычных DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению размеров изделий.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Triple |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30.8 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DFN8x8-5 |
| Pd - Power Dissipation: | 240 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 65 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 78 mOhms |
| Rise Time: | 22 ns |
| Series: | TK31V60X |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | DTMOSIV-H |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 130 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 55 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 242 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
