IRF9530PBF-BE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
190 руб.
от 200 шт. —
181 руб.
от 500 шт. —
171.95 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 10 500 руб.
Технические параметры
Brand: | Vishay/Siliconix |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 39 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IRF9530PBF |
Pd - Power Dissipation: | 88 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 38 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 mOhms |
Rise Time: | 52 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 131 КБ