2N7002P,215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
> 1 млн. шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
5.60 руб.
от 18000 шт. —
5.41 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 18 000 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8025605921
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 280мА, 420мВт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 360 mA |
Pd - рассеивание мощности | 420 mW |
Qg - заряд затвора | 0.6 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 4 ns |
Время спада | 5 ns |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel Trench MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 10 ns |
Типичное время задержки при включении | 3 ns |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Base Product Number | 2N7002 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 360mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250ВµA |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 360mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6О© @ 500mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.4V @ 250uA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 360 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 420 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.