IRFP360PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
810 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
700 руб.
от 250 шт. —
606 руб.
от 500 шт. —
591.41 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 40 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 400В, 14А, 280Вт, TO247AC Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 23 А |
| Тип корпуса | TO-247AC |
| Максимальное рассеяние мощности | 280 W |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5.31мм |
| Высота | 20.7мм |
| Размеры | 15.87 x 5.31 x 20.7мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 15.87мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 18 нс |
| Производитель | Vishay |
| Типичное время задержки выключения | 100 нс |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 200 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 400 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 4500 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Pd - рассеивание мощности | 280 W |
| Qg - заряд затвора | 210 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 79 ns |
| Время спада | 67 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | IRFP |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247AC-3 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 13 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 200 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 23A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 280W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 14A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 280 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Вес брутто | 6.7 |
| Время | задержки включения/выключения-79/67 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Заряд затвора, нКл | 210 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 400 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 23 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-280 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В |
| Описание | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 999 КБ
Datasheet IRFP360PBF
pdf, 1012 КБ
IRFP360 Datasheet
pdf, 164 КБ
Документация
pdf, 1002 КБ
Datasheet IRFP360, SiHFP360
pdf, 1026 КБ
