IRFL9014TRPBF

Фото 1/7 IRFL9014TRPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
75 руб.
Кратность заказа 2500 шт.
от 5000 шт.67 руб.
от 7500 шт.65 руб.
от 12500 шт.56.26 руб.
Добавить в корзину 2500 шт. на сумму 187 500 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8025618595

Описание

Описание Транзистор P-МОП, полевой, 60В 1,8A 3,1Вт 0,5Ом SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Крутизна характеристики S,А/В 1.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500
Температура, С -55…+150
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 1.8 A
Maximum Drain Source Resistance 500 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 2 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-223
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 12 nC @ 10 V
Width 3.7mm
Вес брутто 0.4
Диапазон рабочих температур -55…+150 °С
Емкость, пФ 270
Заряд затвора, нКл 12
Максимально допустимое напряжение затвор-исток(Vgs)±20 В
Максимальное напряжение сток-исток, В -60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А 1.8
Мощность рассеиваемая(Pd)-2 Вт
Напряжение пороговое затвора(Vgs th)-4 В
Описание P-Channel 60 V 1.8A(Tc)2W(Ta), 3.1W(Tc)Surface Mount SOT-223
Способ монтажа поверхностный(SMT)
Тип MOSFET
Тип проводимости P
Упаковка REEL, 2500 шт.

Техническая документация

9014
pdf, 166 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 167 КБ