IRF830PBF-BE3

IRF830PBF-BE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
280 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт.230 руб.
от 500 шт.187 руб.
от 1000 шт.144.89 руб.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 14 000 руб.
Номенклатурный номер: 8025620177

Описание

N-канал, 500 В, 4,5 А (Tc), 74 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220AB

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 1.5Ом
Power Dissipation 74Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции IRF830 Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 500В
Непрерывный Ток Стока 4.5А
Полярность Транзистора N Channel
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 74Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 1.5Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB

Техническая документация

Datasheet
pdf, 281 КБ