IRF830PBF-BE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
230 руб.
от 500 шт. —
187 руб.
от 1000 шт. —
144.89 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 14 000 руб.
Описание
N-канал, 500 В, 4,5 А (Tc), 74 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220AB
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.5A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 25V |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.5Ом |
Power Dissipation | 74Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | IRF830 Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
Полярность Транзистора | N Channel |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 74Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.5Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 281 КБ