2SA1832-GR,LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
327000 шт., срок 7 недель
8 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 24 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 at - 2 mA, - 6 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 at - 2 mA, - 6 V |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SA1832 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-426-3 |
Техническая документация
Datasheet 2SA1832-GR.LF
pdf, 217 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
