IRF520PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
130 руб.
от 300 шт. —
117 руб.
от 500 шт. —
111.65 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 7 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 6,5А, 60Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | IRF520 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.5A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки: | 9.2 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 60 W |
| Qg - заряд затвора: | 16 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 270 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 4 V |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Время нарастания: | 30 ns |
| Время спада: | 20 ns |
| Другие названия товара №: | IRF520PBF-BE3 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | Vishay |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Серия: | IRF |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения: | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 8.8 ns |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок: | TO-220AB-3 |
| Упаковка: | Tube |
| FET Feature | - |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Series | - |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.2 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | TO-220AB |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 152 КБ
Datasheet IRF520PBF
pdf, 275 КБ
IRF520PBF Datasheet
pdf, 224 КБ
Документация
pdf, 274 КБ
Datasheet IRF520
pdf, 153 КБ
