IRF630
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
99 руб.
от 50 шт. —
76 руб.
от 100 шт. —
62.88 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 320 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 5,7А, 74Вт, TO220AB
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Package Type | TO-220AB |
| Вес, г | 2.86 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 154 КБ
IRF630 datasheet
pdf, 176 КБ
Документация
pdf, 277 КБ
Datasheet IRF630
pdf, 154 КБ
