WMJ3N120D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A

WMJ3N120D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
284 шт., срок 6 недель
500 руб.
от 3 шт.370 руб.
от 10 шт.276 руб.
от 30 шт.216.49 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 500 руб.
Номенклатурный номер: 8025867323
Артикул: WMJ3N120D1
Бренд: Wayon

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO247-3
Drain current 3A
Drain-source voltage 1.2kV
Gate charge 22.2nC
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer WAYON
Mounting THT
On-state resistance 6.3Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 156.2W
Pulsed drain current 12A
Technology WMOS™ D1
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 5

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.