WMJ18N50D1B, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W

WMJ18N50D1B, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
76 шт., срок 6 недель
510 руб.
от 3 шт.360 руб.
от 10 шт.261 руб.
от 30 шт.205.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 510 руб.
Номенклатурный номер: 8025867426
Артикул: WMJ18N50D1B
Бренд: Wayon

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO247-3
Drain current 18A
Drain-source voltage 500V
Gate charge 40nC
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer WAYON
Mounting THT
On-state resistance 0.28Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 271W
Pulsed drain current 72A
Technology WMOS™ D1
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 5

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.