STP17N80K5, Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 шт., срок 7 недель
1 400 руб.
от 5 шт. —
1 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 170 W |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 340 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP17N80K5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 1.99 |
Техническая документация
Datasheet STP17N80K5
pdf, 596 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
