WMJ9N150D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W

WMJ9N150D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
237 шт., срок 6 недель
2 970 руб.
от 3 шт.2 100 руб.
от 10 шт.1 450 руб.
от 30 шт.1 303.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 970 руб.
Номенклатурный номер: 8025869681
Артикул: WMJ9N150D1
Бренд: Wayon

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO247-3
Drain current 9A
Drain-source voltage 1.5kV
Gate charge 85.2nC
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer WAYON
Mounting THT
On-state resistance 2.9Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 320W
Pulsed drain current 36A
Technology WMOS™ D1
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 5

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.