WMJ9N150D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
237 шт., срок 6 недель
2 970 руб.
от 3 шт. —
2 100 руб.
от 10 шт. —
1 450 руб.
от 30 шт. —
1 303.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 970 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 9A |
Drain-source voltage | 1.5kV |
Gate charge | 85.2nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | WAYON |
Mounting | THT |
On-state resistance | 2.9Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 320W |
Pulsed drain current | 36A |
Technology | WMOS™ D1 |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 5 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.