WMX4N150D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 90W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
275 шт., срок 6 недель
480 руб.
от 5 шт. —
380 руб.
от 30 шт. —
295 руб.
от 120 шт. —
246.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO3PF |
| Drain current | 4A |
| Drain-source voltage | 1.5kV |
| Gate charge | 41nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | WAYON |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 5.4Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 90W |
| Pulsed drain current | 16A |
| Technology | WMOS™ D1 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
