COMSET Semiconductors N channel SIPMOS power transistor, TO-220, BUZ12-T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 шт., срок 6 недель
1 120 руб.
от 10 шт. —
860 руб.
от 100 шт. —
680 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 120 руб.
Описание
Semiconductors\Power Semiconductors
SIPMOS MOSFET NFET NFET s.
N-channel version.
Technical attributes (type, voltage (VDS), current (ID), resistance (RDS), package, manufacturer): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 mohm, TO220, COMSET
Технические параметры
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-220 |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Power dissipation | 125 W |
| Version | N channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 111 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
