COMSET Semiconductors N channel SIPMOS power transistor, TO-220, BUZ31
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
265 шт., срок 6 недель
810 руб.
от 10 шт. —
540 руб.
от 100 шт. —
404 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 810 руб.
Описание
Semiconductors\Power Semiconductors
SIPMOS MOSFET NFET NFET s.
N-channel version.
Technical attributes (type, voltage (VDS), current (ID), resistance (RDS), package, manufacturer): BUZ31, 200 V, 14.5 A, 0.2 ohm, TO220
Технические параметры
Assembly | THT |
Enclosure | TO-220 |
max. operating temperature | 150 °C |
min. operating temperature | -55 °C |
Power dissipation | 95 W |
Version | N channel |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 98 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.