Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 100 V, 42 A, TO-247, IRFP150NPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
550 руб.
от 10 шт. —
410 руб.
от 100 шт. —
303 руб.
от 250 шт. —
256.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Power Semiconductors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 30А, 160Вт, TO247AC Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 42 А |
| Тип корпуса | TO-247AC |
| Максимальное рассеяние мощности | 160 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5.3мм |
| Высота | 20.3мм |
| Размеры | 15.9 x 5.3 x 20.3мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 15.9мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 11 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 36 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 110 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1900 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Id - непрерывный ток утечки | 39 A |
| Pd - рассеивание мощности | 140 W |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Крутизна характеристики S,А/В | 14 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 36 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 42A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 23A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 42 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 160 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Width | 5.3mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFP150NPBF
pdf, 1033 КБ
Datasheet IRFP150NPBF
pdf, 1024 КБ
Datasheet IRFP150NPBF
pdf, 1022 КБ
Datasheet IRFP150
pdf, 167 КБ
