Onsemi N channel power MOSFET, 60 V, 200 mA, TO-92, 2N7000
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 50 шт. —
133 руб.
от 100 шт. —
104.69 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
Semiconductors\Power Semiconductors
Описание Полевой транзистор 2N7000 от ONSEMI представляет собой N-MOSFET устройство, обладающее высоким напряжением сток-исток в 60 В и током стока до 0,2 А. Монтируется методом THT, что обеспечивает удобство в использовании и пайке. Мощность данного транзистора составляет 0,4 Вт, что делает его подходящим для различных электронных схем. Корпус TO92 обеспечивает надежность и долговечность при эксплуатации. Транзистор 2N7000 идеально подходит для широкого спектра областей применения, благодаря своим характеристикам. Код товара 2N7000 позволяет быстро идентифицировать и заказать нужный компонент, упрощая процесс сборки и ремонта электронных устройств. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 0.2 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 0.4 |
| Корпус | TO92 |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 4.19mm |
