WMP09N90C2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
![WMP09N90C2, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W](https://static.chipdip.ru/lib/076/DOC042076789.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
774 шт., срок 6 недель
270 руб.
от 5 шт. —
210 руб.
от 25 шт. —
182 руб.
от 160 шт. —
137.34 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO251 |
Drain current | 4.8A |
Drain-source voltage | 900V |
Gate charge | 18nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | WAYON |
Mounting | THT |
On-state resistance | 1.37Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 85W |
Pulsed drain current | 16A |
Technology | WMOS™ C2 |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 2 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.