AOSP32320C, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,5А; 2,5Вт; SO8
91 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
58 руб.
от 150 шт. —
51 руб.
от 500 шт. —
41.59 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 455 руб.
Описание
30V 8.5A 22mΩ@8.5A,10V 2.5W 2.3V@250uA N Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 8.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@8.5A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 650pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.1 |
