2N7002KDW-R1-00001
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
405000 шт., срок 7 недель
5 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 15 000 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8027142562
Бренд: PanJit Semiconductors
Технические параметры
Manufacturer | PANJIT |
Brand: | Panjit |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
Manufacturer: | Panjit |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | SOT-363-6 |
Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 800 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
Series: | NFET-035TS |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Техническая документация
Datasheet 2N7002KDW_R1_00001
pdf, 329 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.