SIHG039N60E-GE3, MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 980 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 100 шт. —
1 730 руб.
от 500 шт. —
1 520 руб.
от 1000 шт. —
1 367.06 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 99 000 руб.
Описание
N-канал 600V 63A (Tc) 357W (Tc) сквозное отверстие TO-247AC
Технические параметры
| Base Product Number | SIHG039 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4369pF @ 100V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 32A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | E -> |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.034Ом |
| Power Dissipation | 357Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | E |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 63А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 357Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.034Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet SIHG039N60E-GE3
pdf, 195 КБ
Datasheet SIHG039N60E-GE3
pdf, 134 КБ
