SIS110DN-T1-GE3, MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
52 руб.
Кратность заказа 6000 шт.
Добавить в корзину 6000 шт.
на сумму 312 000 руб.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
Power Dissipation | 24Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 14.2А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 24Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet SIS110DN-T1-GE3
pdf, 179 КБ